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Bruckewell CMS120N080B

所示图片仅供参考。确切规格应从产品数据手册中获取。

Bruckewell CMS120N080B

制造商
制造商产品编号
CMS120N080B
描述

SIC N-MOSFET,1200V,35A,TO-263-7L

制造商标准交货时间 联系我们
详细描述

N-Channel 1200 V 35A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-263-7

产品属性

类型
描述
制造商
Bruckewell
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
功耗 (最大)
188W (Tc)
认证
-
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
FET类型
N-Channel
电流 - 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds 导通 (最大值) @ Id, Vgs
90mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 10mA
安装类型
Through Hole
FET特性
-
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
等级
-
驱动电压(最大Rds导通,最小Rds导通)
20V
Vgs(最大)
+20V, -5V
漏源电压 (Vdss)
1200 V

文档与媒体

资源类型
链接
数据手册

其他资源

属性
描述
料号别名
CMS120N080B 26771948 4817-CMS120N080B-ND
库存状态
有货
更新时间
2026/5/16

库存: 5

包装 数量 单价 总价
1 506.000 ₫ 506.000 ₫

506.000 ₫

所有价格均以所选货币显示

Bulk · Digikey

可用数量 单价 总价
1
506.000 ₫
506.000 ₫
10
360.000 ₫
3.600.000 ₫
100
278.000 ₫
27.800.000 ₫
500
260.000 ₫
130.000.000 ₫

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