产品属性
类型
描述
制造商
EPC
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.3 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
140 pF @ 100 V
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
功耗 (最大)
-
认证
-
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
FET类型
N-Channel
电流 - 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Rds 导通 (最大值) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 1mA
安装类型
Surface Mount
FET特性
-
供应商器件封装
Die
封装/外壳
Die
等级
-
驱动电压（最大Rds导通，最小Rds导通）
5V
Vgs（最大）
+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)
200 V
文档与媒体
资源类型
链接
数据手册
视频
其他资源
属性
描述
料号别名
EPC2012C
5031700
917-1084-1-ND
917-1084-2-ND
917-1084-6-ND
库存状态
有货
更新时间
2026/5/16
库存: 31,592
包装 数量 单价 总价
1 104.000 ₫ 104.000 ₫
104.000 ₫
所有价格均以所选货币显示
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