产品属性
类型
描述
制造商
EPC
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
4.5 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
420 pF @ 50 V
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
功耗 (最大)
-
认证
-
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
FET类型
N-Channel
电流 - 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Rds 导通 (最大值) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 3mA
安装类型
Surface Mount
FET特性
-
供应商器件封装
Die
封装/外壳
Die
等级
-
驱动电压(最大Rds导通,最小Rds导通)
5V
Vgs(最大)
+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)
100 V
文档与媒体
资源类型
链接
数据手册
EDA 模型
交互式媒体
视频
其他资源
属性
描述
料号别名
EPC2016C
5031689
917-1080-2-ND
库存状态
有货
更新时间
2026/5/16
库存: 60,000
包装 数量 单价 总价
1 30.000 ₫ 30.000 ₫
30.000 ₫
所有价格均以所选货币显示
Tape & Reel (TR) · Digikey
可用数量 单价 总价
2,500
30.000 ₫
75.000.000 ₫
5,000
29.000 ₫
145.000.000 ₫
最小起订量 2,500 · 订购倍数 2,500
您可能还会感兴趣

BZT52C5V1T-TP
DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD523

TPS22950YBHR
5.5-V, 2-A, 40-M LOAD SWITCH WIT
21.000 ₫ Texas Instruments

G125-MH10605M4P
CONN HDR 1.25MM R/A 6POS
591.000 ₫ Harwin Inc.

CMS15(TE12L,Q,M)
DIODE SCHOTTKY 60V 3A MFLAT
30.000 ₫ Toshiba Semiconductor and Storage
相关产品

LM5113TME/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA
160.000 ₫ Texas Instruments

ECS-160-10-36-CKM-TR3
CRYSTAL 16.0000MHZ 10PF SMD
9.000 ₫ ECS Inc.

LM5113SDE/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
177.000 ₫ Texas Instruments

G9TA-K1AP DC12
RELAY GEN PURPOSE SPST 60A 12V
345.000 ₫ Omron Electronics Inc-EMC Div

LM5113SD/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
177.000 ₫ Texas Instruments

IPB040N08NF2SATMA1
MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
69.000 ₫ Infineon Technologies

LM5113TME/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA
160.000 ₫ Texas Instruments

LM5113TME/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA
98.000 ₫ Texas Instruments

LM5113SDX/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
89.000 ₫ Texas Instruments

ECS-160-10-36-CKM-TR3
CRYSTAL 16.0000MHZ 10PF SMD
9.000 ₫ ECS Inc.

ECS-160-10-36-CKM-TR3
CRYSTAL 16.0000MHZ 10PF SMD
6.000 ₫ ECS Inc.

LM5113SDE/NOPB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
177.000 ₫ Texas Instruments

