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GE Aerospace GE12090CDA3
制造商
制造商产品编号
GE12090CDA3
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 875A MODULE
制造商标准交货时间 10天
详细描述
MOSFET 2N-CH 1200V 875A MODULE
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产品属性
类型
描述
制造商
GE Aerospace
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
认证
AEC-Q101
技术
Silicon Carbide (SiC)
功率 - 最大
2350W
漏源电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
875A
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
58600pF @ 600V
Rds 导通 (最大值) @ Id, Vgs
2.19mOhm @ 950A, 20V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 320mA
安装类型
Chassis Mount
供应商器件封装
Module
封装/外壳
Module
配置
2 N-Channel (Half Bridge)
文档与媒体
资源类型
链接
数据手册
其他资源
属性
描述
料号别名
GE12090CDA3
23019626
4014-GE12090CDA3-ND
库存状态
有货
更新时间
2026/5/16
库存: 4
包装 数量 单价 总价
1 111.412.000 ₫ 111.412.000 ₫
111.412.000 ₫
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111.412.000 ₫
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