所示图片仅供参考。确切规格应从产品数据手册中获取。
IceMOS Technology ICE20N60B
产品属性
类型
描述
制造商
IceMOS Technology
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
59 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2064 pF @ 25 V
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
功耗 (最大)
236W (Tc)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
FET类型
N-Channel
电流 - 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds 导通 (最大值) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.9V @ 250µA
安装类型
Surface Mount
FET特性
-
供应商器件封装
TO-263
封装/外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
驱动电压（最大Rds导通，最小Rds导通）
10V
Vgs（最大）
±20V
漏源电压 (Vdss)
600 V
文档与媒体
资源类型
链接
数据手册
其他资源
属性
描述
料号别名
ICE20N60B
20412649
5133-ICE20N60BTR-ND
库存状态
有货
更新时间
2026/5/16
库存: 5,600
包装 数量 单价 总价
1 64.000 ₫ 64.000 ₫
64.000 ₫
所有价格均以所选货币显示
Tape & Reel (TR) · Digikey
可用数量 单价 总价
800
64.000 ₫
51.200.000 ₫
1,600
60.000 ₫
96.000.000 ₫
2,400
55.000 ₫
132.000.000 ₫
3,200
51.000 ₫
163.200.000 ₫
最小起订量 800 · 订购倍数 800
替代产品
ICE20N170B
Superjunction MOSFET
64.000 ₫ IceMOS Technology