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Infineon Technologies IPB65R660CFDAATMA1
制造商产品编号
IPB65R660CFDAATMA1
描述
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
制造商标准交货时间 联系我们
详细描述
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
数据手册 查看数据手册
产品属性
类型
描述
制造商
Infineon Technologies
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
543 pF @ 100 V
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
功耗 (最大)
62.5W (Tc)
认证
AEC-Q101
技术
MOSFET (Metal Oxide)
FET类型
N-Channel
电流 - 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds 导通 (最大值) @ Id, Vgs
660mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 200µA
安装类型
Surface Mount
FET特性
-
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
等级
Automotive
驱动电压（最大Rds导通，最小Rds导通）
10V
Vgs（最大）
±20V
漏源电压 (Vdss)
650 V
文档与媒体
资源类型
链接
数据手册
环境信息
其他资源
属性
描述
料号别名
IPB65R660CFDAATMA1
12718429
448-IPB65R660CFDAATMA1CT-ND
库存状态
有货
更新时间
2026/5/16
库存: 970
包装 数量 单价 总价
1 69.000 ₫ 69.000 ₫
69.000 ₫
所有价格均以所选货币显示
Cut Tape (CT) · Digikey
可用数量 单价 总价
1
69.000 ₫
69.000 ₫
10
45.000 ₫
450.000 ₫
100
31.000 ₫
3.100.000 ₫
500
25.000 ₫
12.500.000 ₫
最小起订量 1 · 订购倍数 1
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