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Infineon Technologies IPD80R2K7C3AATMA1

所示图片仅供参考。确切规格应从产品数据手册中获取。

Infineon Technologies IPD80R2K7C3AATMA1

制造商产品编号
IPD80R2K7C3AATMA1
描述

MOSFET N-CH TO252-3

制造商标准交货时间 联系我们
详细描述

MOSFET N-CH TO252-3

EDA/CAD模型

产品属性

类型
描述
制造商
Infineon Technologies
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.5 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
290 pF @ 100 V
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
功耗 (最大)
42W (Tc)
认证
AEC-Q101
技术
MOSFET (Metal Oxide)
FET类型
N-Channel
电流 - 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Rds 导通 (最大值) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3.9V @ 250µA
安装类型
Surface Mount
FET特性
-
供应商器件封装
TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
等级
Automotive
驱动电压(最大Rds导通,最小Rds导通)
10V
Vgs(最大)
±20V
漏源电压 (Vdss)
800 V

文档与媒体

其他资源

属性
描述
料号别名
IPD80R2K7C3AATMA1 12718489 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT-ND
库存状态
有货
更新时间
2026/5/16

库存: 393

包装 数量 单价 总价
1 55.000 ₫ 55.000 ₫

55.000 ₫

所有价格均以所选货币显示

Cut Tape (CT) · Digikey

可用数量 单价 总价
1
55.000 ₫
55.000 ₫
10
35.000 ₫
350.000 ₫
100
24.000 ₫
2.400.000 ₫
500
19.000 ₫
9.500.000 ₫
1,000
17.000 ₫
17.000.000 ₫

最小起订量 1 · 订购倍数 1

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