所示图片仅供参考。确切规格应从产品数据手册中获取。
Inventchip IV1Q12080D7Z
制造商
制造商产品编号
IV1Q12080D7Z
描述
SIC MOSFET, 1200V 80MOHM, TO263-
制造商标准交货时间 联系我们
详细描述
N-Channel 1200 V 42A (Tc) 185.4W (Tc) Through Hole TO-263-7
产品属性
类型
描述
制造商
Inventchip
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
76 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1680 pF @ 800 V
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
功耗 (最大)
185.4W (Tc)
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
FET类型
N-Channel
电流 - 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Rds 导通 (最大值) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 3.11mA
安装类型
Through Hole
FET特性
-
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab)
驱动电压（最大Rds导通，最小Rds导通）
20V
Vgs（最大）
+20V, -5V
漏源电压 (Vdss)
1200 V
其他资源
属性
描述
料号别名
IV1Q12080D7Z
26254972
4084-IV1Q12080D7Z-ND
库存状态
缺货
更新时间
2026/5/16
库存: 0
包装 数量 单价 总价
1 100.000 ₫ 100.000 ₫
100.000 ₫
所有价格均以所选货币显示
Tube · Digikey
可用数量 单价 总价
800
100.000 ₫
80.000.000 ₫
最小起订量 800 · 订购倍数 800