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Inventchip IV2Q06060D7Z
제조사
제조사 제품 번호
IV2Q06060D7Z
설명
GEN 2, SIC MOSFET, 650V 60MOHM,
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상세 설명
N-Channel 650 V 50A (Tc) 174W (Tc) Through Hole TO-263-7
데이터시트 데이터시트 보기
제품 속성
유형
설명
制造商
Inventchip
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
94.7 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2000 pF @ 400 V
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
功耗 (最大)
174W (Tc)
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
FET类型
N-Channel
电流 - 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds 导通 (最大值) @ Id, Vgs
78mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4.5V @ 7.5mA
安装类型
Through Hole
FET特性
-
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab)
驱动电压（最大Rds导通，最小Rds导通）
18V
Vgs（最大）
+20V, -5V
漏源电压 (Vdss)
650 V
문서 및 미디어
리소스 유형
링크
추가 리소스
속성
설명
料号别名
IV2Q06060D7Z
26254967
4084-IV2Q06060D7Z-ND
库存状态
有货
更新时间
2026/5/16
재고: 60
포장 수량 단가 합계
1 243.000 ₫ 243.000 ₫
243.000 ₫
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재고 수량 단가 합계
1
243.000 ₫
243.000 ₫
10
166.000 ₫
1.660.000 ₫
100
122.000 ₫
12.200.000 ₫
500
104.000 ₫
52.000.000 ₫
1,000
100.000 ₫
100.000.000 ₫
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