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NoMIS Power N3T080MP330
制造商
制造商产品编号
N3T080MP330
描述
3300 V 80 mOhm SiC MOSFET Bare D
制造商标准交货时间 15天
详细描述
3300 V 80 mOhm SiC MOSFET Bare D
数据手册 查看数据手册
产品属性
类型
描述
制造商
NoMIS Power
工作温度
-55°C ~ 175°C
功耗 (最大)
288W (Tc)
认证
-
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
FET类型
N-Channel
电流 - 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
34A
Rds 导通 (最大值) @ Id, Vgs
90mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 10mA
安装类型
Through Hole
FET特性
-
供应商器件封装
TO-247-4
封装/外壳
TO-247-4
等级
-
驱动电压（最大Rds导通，最小Rds导通）
20V
Vgs（最大）
+25V, -5V
漏源电压 (Vdss)
3300 V
文档与媒体
资源类型
链接
其他资源
属性
描述
料号别名
N3T080MP330
27524843
5140-N3T080MP330-ND
库存状态
有货
更新时间
2026/5/16
库存: 1,000
包装 数量 单价 总价
1 2.597.000 ₫ 2.597.000 ₫
2.597.000 ₫
所有价格均以所选货币显示
Tray · Digikey
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