产品属性
类型
描述
制造商
SemiQ
正向电压 (Vf) (最大值) @ If
1.65 V @ 20 A
反向漏电流 @ Vr
40 µA @ 1200 V
反向恢复时间 (trr)
0 ns
技术
SiC (Silicon Carbide) Schottky
安装类型
Through Hole
电容 @ Vr, F
1179pF @ 1V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)
20A
供应商器件封装
TO-247-2
速度
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
封装/外壳
TO-247-2
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
电压 - 直流反向 (Vr)（最大）
1200 V
文档与媒体
资源类型
链接
其他资源
属性
描述
料号别名
GP3D020A120B
9808397
GP3D020A120B-ND
库存状态
缺货
更新时间
2026/5/16
库存: 0
包装 数量 单价 总价
1 168.000 ₫ 168.000 ₫
168.000 ₫
所有价格均以所选货币显示
Tube · Digikey
可用数量 单价 总价
30
168.000 ₫
5.040.000 ₫
最小起订量 30 · 订购倍数 30
您可能还会感兴趣
S4D20120H
DIODE SIL CARB 1200V 20A TO247AC
130.000 ₫ SMC Diode Solutions
替代产品
S4D20120H
DIODE SIL CARB 1200V 20A TO247AC
130.000 ₫ SMC Diode Solutions