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STMicroelectronics SCTWA50N120
制造商产品编号
SCTWA50N120
描述
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
制造商标准交货时间 联系我们
详细描述
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
数据手册 查看数据手册
产品属性
类型
描述
制造商
STMicroelectronics
产品状态
Obsolete
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
122 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1900 pF @ 400 V
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
功耗 (最大)
318W (Tc)
认证
-
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
FET类型
N-Channel
电流 - 连续漏极电流 (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Rds 导通 (最大值) @ Id, Vgs
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 1mA
安装类型
Through Hole
FET特性
-
供应商器件封装
HiP247™
封装/外壳
TO-247-3
等级
-
驱动电压（最大Rds导通，最小Rds导通）
20V
Vgs（最大）
+25V, -10V
漏源电压 (Vdss)
1200 V
文档与媒体
环境与出口分类
属性
描述
产品状态
Obsolete
其他资源
属性
描述
料号别名
SCTWA50N120
7313412
497-SCTWA50N120-ND
库存状态
有货
更新时间
2026/5/16
库存: 308
包装 数量 单价 总价
1 735.000 ₫ 735.000 ₫
735.000 ₫
所有价格均以所选货币显示
Tube · Digikey
可用数量 单价 总价
1
735.000 ₫
735.000 ₫
10
593.000 ₫
5.930.000 ₫
25
557.000 ₫
13.925.000 ₫
100
518.000 ₫
51.800.000 ₫
250
500.000 ₫
125.000.000 ₫
最小起订量 1 · 订购倍数 1
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