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PN Junction Semiconductor P3M12025K4
제조사 제품 번호
P3M12025K4
설명
SICFET N-CH 1200V 112A TO-247-4
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상세 설명
N-Channel 1200 V 112A 577W Through Hole TO-247-4L
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제품 속성
유형
설명
Manufacturer
PN Junction Semiconductor
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
577W
Qualification
AEC-Q101
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
112A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 50mA (Typ)
Mounting Type
Through Hole
FET Feature
-
Supplier Device Package
TO-247-4L
Package / Case
TO-247-4
Grade
Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Vgs (Max)
+19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
문서 및 미디어
리소스 유형
링크
Datasheets
추가 리소스
속성
설명
Part Number Alias
P3M12025K4
16351538
Availability
Out of Stock
Updated
5/16/2026
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