製品属性
タイプ
説明
メーカー
fastSiC
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
27.2 nC @ 800 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
680 pF @ 800 V
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
消費電力 (最大)
51W (Tc)
認定
AEC-Q101
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
FETタイプ
N-Channel
連続ドレイン電流 (Id) @ 25°C
10.8A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id, Vgs
240mOhm @ 4A, 15V
Vgs(th) (最大) @ Id
2.5V @ 6mA
実装タイプ
Through Hole
FET特徴
-
サプライヤデバイスパッケージ
TO-220-3 Full Pack
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack
駆動電圧 (最大Rdsオン、最小Rdsオン)
12V, 15V
Vgs (最大)
+15V, -8V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
ドキュメント・メディア
リソースタイプ
リンク
データシート
その他のリソース
属性
説明
部品番号エイリアス
FF12190M2D
28528294
5700-FF12190M2D-ND
在庫状況
在庫あり
更新日
2026/5/16
在庫: 1,000
パッケージ 数量 単価 合計
1 99.000 ₫ 99.000 ₫
99.000 ₫
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在庫数 単価 合計
1
99.000 ₫
99.000 ₫
10
82.000 ₫
820.000 ₫
100
66.000 ₫
6.600.000 ₫
2,000
33.000 ₫
66.000.000 ₫
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