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GE Aerospace GE12090CDA3
メーカー
メーカー製品番号
GE12090CDA3
説明
MOSFET 2N-CH 1200V 875A MODULE
メーカー標準リードタイム 10日
詳細説明
MOSFET 2N-CH 1200V 875A MODULE
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製品属性
タイプ
説明
メーカー
GE Aerospace
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
認定
AEC-Q101
テクノロジー
Silicon Carbide (SiC)
電力 - 最大
2350W
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
連続ドレイン電流 (Id) @ 25°C
875A
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
58600pF @ 600V
Rds オン (最大) @ Id, Vgs
2.19mOhm @ 950A, 20V
Vgs(th) (最大) @ Id
4.5V @ 320mA
実装タイプ
Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ
Module
パッケージ/ケース
Module
構成
2 N-Channel (Half Bridge)
ドキュメント・メディア
リソースタイプ
リンク
データシート
その他のリソース
属性
説明
部品番号エイリアス
GE12090CDA3
23019626
4014-GE12090CDA3-ND
在庫状況
在庫あり
更新日
2026/5/16
在庫: 4
パッケージ 数量 単価 合計
1 111.412.000 ₫ 111.412.000 ₫
111.412.000 ₫
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