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IceMOS Technology ICE20N60B
メーカー
メーカー製品番号
ICE20N60B
説明
Superjunction MOSFET
メーカー標準リードタイム 7日
詳細説明
Superjunction MOSFET
データシート データシートを見る
製品属性
タイプ
説明
メーカー
IceMOS Technology
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
59 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2064 pF @ 25 V
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
消費電力 (最大)
236W (Tc)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
FETタイプ
N-Channel
連続ドレイン電流 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id
3.9V @ 250µA
実装タイプ
Surface Mount
FET特徴
-
サプライヤデバイスパッケージ
TO-263
パッケージ/ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
駆動電圧 (最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Vgs (最大)
±20V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
600 V
ドキュメント・メディア
リソースタイプ
リンク
データシート
その他のリソース
属性
説明
部品番号エイリアス
ICE20N60B
20412649
5133-ICE20N60BTR-ND
在庫状況
在庫あり
更新日
2026/5/16
在庫: 5,600
パッケージ 数量 単価 合計
1 64.000 ₫ 64.000 ₫
64.000 ₫
価格はすべて選択した通貨で表示されます
Tape & Reel (TR) · Digikey
在庫数 単価 合計
800
64.000 ₫
51.200.000 ₫
1,600
60.000 ₫
96.000.000 ₫
2,400
55.000 ₫
132.000.000 ₫
3,200
51.000 ₫
163.200.000 ₫
最小注文数量 800 · 注文倍数 800
代替品
ICE20N170B
Superjunction MOSFET
64.000 ₫ IceMOS Technology