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Infineon Technologies IPD65R660CFDAATMA1
メーカー製品番号
IPD65R660CFDAATMA1
説明
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
メーカー標準リードタイム お問い合わせ
詳細説明
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
データシート データシートを見る
製品属性
タイプ
説明
メーカー
Infineon Technologies
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
20 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
543 pF @ 100 V
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
消費電力 (最大)
62.5W (Tc)
認定
AEC-Q101
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
FETタイプ
N-Channel
連続ドレイン電流 (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id, Vgs
660mOhm @ 3.22A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id
4.5V @ 214.55µA
実装タイプ
Surface Mount
FET特徴
-
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
グレード
Automotive
駆動電圧 (最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Vgs (最大)
±20V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
ドキュメント・メディア
リソースタイプ
リンク
データシート
シミュレーションモデル
関連ドキュメント
環境情報
その他のリソース
属性
説明
部品番号エイリアス
IPD65R660CFDAATMA1
12718520
448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND
在庫状況
在庫あり
更新日
2026/5/16
在庫: 978
パッケージ 数量 単価 合計
1 63.000 ₫ 63.000 ₫
63.000 ₫
価格はすべて選択した通貨で表示されます
Cut Tape (CT) · Digikey
在庫数 単価 合計
1
63.000 ₫
63.000 ₫
10
41.000 ₫
410.000 ₫
100
28.000 ₫
2.800.000 ₫
500
22.000 ₫
11.000.000 ₫
1,000
21.000 ₫
21.000.000 ₫
最小注文数量 1 · 注文倍数 1
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