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Infineon Technologies IPD80R2K7C3AATMA1
メーカー製品番号
IPD80R2K7C3AATMA1
説明
MOSFET N-CH TO252-3
メーカー標準リードタイム お問い合わせ
詳細説明
MOSFET N-CH TO252-3
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EDA/CADモデル
製品属性
タイプ
説明
メーカー
Infineon Technologies
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
1.5 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
290 pF @ 100 V
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
消費電力 (最大)
42W (Tc)
認定
AEC-Q101
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
FETタイプ
N-Channel
連続ドレイン電流 (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id
3.9V @ 250µA
実装タイプ
Surface Mount
FET特徴
-
サプライヤデバイスパッケージ
TO-252AA (DPAK)
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
グレード
Automotive
駆動電圧 (最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Vgs (最大)
±20V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
800 V
ドキュメント・メディア
リソースタイプ
リンク
データシート
関連ドキュメント
環境情報
その他のリソース
属性
説明
部品番号エイリアス
IPD80R2K7C3AATMA1
12718396
448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR-ND
在庫状況
在庫切れ
更新日
2026/5/16
在庫: 0
パッケージ 数量 単価 合計
1 55.000 ₫ 55.000 ₫
55.000 ₫
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在庫数 単価 合計
1
55.000 ₫
55.000 ₫
10
35.000 ₫
350.000 ₫
100
24.000 ₫
2.400.000 ₫
500
19.000 ₫
9.500.000 ₫
1,000
17.000 ₫
17.000.000 ₫
最小注文数量 1 · 注文倍数 1
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