製品属性
タイプ
説明
メーカー
IXYS
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
130 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4075 pF @ 25 V
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
消費電力 (最大)
890W (Tc)
認定
-
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
FETタイプ
N-Channel
連続ドレイン電流 (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id, Vgs
220mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id
6V @ 4mA
実装タイプ
Surface Mount
FET特徴
-
サプライヤデバイスパッケージ
TO-268HV (IXFT)
パッケージ/ケース
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
グレード
-
駆動電圧 (最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Vgs (最大)
±30V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1000 V
ドキュメント・メディア
その他のリソース
属性
説明
部品番号エイリアス
IXFT32N100XHV
9952871
IXFT32N100XHV-ND
在庫状況
在庫切れ
更新日
2026/5/16
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1 686.000 ₫ 686.000 ₫
686.000 ₫
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1
686.000 ₫
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30
439.000 ₫
13.170.000 ₫
120
386.000 ₫
46.320.000 ₫
510
384.000 ₫
195.840.000 ₫
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