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Microsemi Corporation 2N5015S
メーカー製品番号
2N5015S
説明
TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
メーカー標準リードタイム お問い合わせ
詳細説明
Bipolar (BJT) Transistor NPN 1000 V 200 mA 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
製品属性
タイプ
説明
メーカー
Microsemi Corporation
製品ステータス
Obsolete
動作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
認定
MIL-PRF-19500/727
実装タイプ
Through Hole
トランジスタタイプ
NPN
Vce飽和 (最大) @ Ib, Ic
1.8V @ 5mA, 20mA
コレクタ遮断電流 (最大)
10nA (ICBO)
直流電流増幅率 (hFE) (最小) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
遷移周波数
-
サプライヤデバイスパッケージ
TO-39 (TO-205AD)
パッケージ/ケース
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
グレード
Military
通知
QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
200 mA
電圧 - コレクタ・エミッタ間降伏 (最大)
1000 V
電力 - 最大
1 W
ドキュメント・メディア
環境・輸出分類
属性
説明
製品ステータス
Obsolete
その他のリソース
属性
説明
部品番号エイリアス
2N5015S
9558080
在庫状況
在庫切れ
更新日
2026/5/16
在庫: 0
パッケージ 数量 単価 合計
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