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NovuSem NC1M120C75HTNG

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NovuSem NC1M120C75HTNG

メーカー
メーカー製品番号
NC1M120C75HTNG
説明

SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4

メーカー標準リードタイム お問い合わせ
詳細説明

N-Channel 1200 V 47A (Tc) 288W (Ta) Through Hole TO-247-4L

製品属性

タイプ
説明
メーカー
NovuSem
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1450 pF @ 1000 V
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
消費電力 (最大)
288W (Ta)
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
FETタイプ
N-Channel
連続ドレイン電流 (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id, Vgs
75mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (最大) @ Id
2.8V @ 5mA
実装タイプ
Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ
TO-247-4L
パッケージ/ケース
TO-247-4
駆動電圧 (最大Rdsオン、最小Rdsオン)
20V
Vgs (最大)
+20V, -5V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V

ドキュメント・メディア

リソースタイプ
リンク
データシート

その他のリソース

属性
説明
部品番号エイリアス
NC1M120C75HTNG 21723614
在庫状況
在庫切れ
更新日
2026/5/16

在庫: 0

パッケージ 数量 単価 合計
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