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PN Junction Semiconductor P3M12025K4
Manufacturer
Manufacturer Product Number
P3M12025K4
Description
SICFET N-CH 1200V 112A TO-247-4
Manufacturer Standard Lead Time Contact us
Detailed Description
N-Channel 1200 V 112A 577W Through Hole TO-247-4L
Datasheet View datasheet
Product Attributes
Type
Description
メーカー
PN Junction Semiconductor
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
消費電力 (最大)
577W
認定
AEC-Q101
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
FETタイプ
N-Channel
連続ドレイン電流 (Id) @ 25°C
112A
Rds オン (最大) @ Id, Vgs
35mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (最大) @ Id
2.2V @ 50mA (Typ)
実装タイプ
Through Hole
FET特徴
-
サプライヤデバイスパッケージ
TO-247-4L
パッケージ/ケース
TO-247-4
グレード
Automotive
駆動電圧 (最大Rdsオン、最小Rdsオン)
15V
Vgs (最大)
+19V, -8V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
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Resource Type
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データシート
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Attribute
Description
部品番号エイリアス
P3M12025K4
16351538
在庫状況
在庫切れ
更新日
2026/5/16
In-Stock: 0
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