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STMicroelectronics STL8N10F7
メーカー
メーカー製品番号
STL8N10F7
説明
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
メーカー標準リードタイム お問い合わせ
詳細説明
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
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EDA/CADモデル
製品属性
タイプ
説明
メーカー
STMicroelectronics
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
22 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2000 pF @ 50 V
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
消費電力 (最大)
3.5W (Ta), 50W (Tc)
認定
-
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
FETタイプ
N-Channel
連続ドレイン電流 (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id, Vgs
20mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id
4.5V @ 250µA
実装タイプ
Surface Mount
FET特徴
-
サプライヤデバイスパッケージ
PowerFlat™ (3.3x3.3)
パッケージ/ケース
8-PowerVDFN
グレード
-
駆動電圧 (最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Vgs (最大)
±20V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
100 V
ドキュメント・メディア
リソースタイプ
リンク
データシート
EDAモデル
その他のリソース
属性
説明
部品番号エイリアス
STL8N10F7
5018877
497-14991-2-ND
在庫状況
在庫切れ
更新日
2026/5/16
在庫: 0
パッケージ 数量 単価 合計
1 11.000 ₫ 11.000 ₫
11.000 ₫
価格はすべて選択した通貨で表示されます
Tape & Reel (TR) · Digikey
在庫数 単価 合計
3,000
11.000 ₫
33.000.000 ₫
6,000
10.000 ₫
60.000.000 ₫
9,000
10.000 ₫
90.000.000 ₫
15,000
9.000 ₫
135.000.000 ₫
21,000
9.000 ₫
189.000.000 ₫
30,000
9.000 ₫
270.000.000 ₫
最小注文数量 3,000 · 注文倍数 3,000
代替品
RBE111N10R1SZN2#HB0
MOSFET N-CH 100V 40A SO8-FL
12.000 ₫ Renesas Electronics Corporation