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Bruckewell CMS120N080B
제조사
제조사 제품 번호
CMS120N080B
설명
SIC N-MOSFET,1200V,35A,TO-263-7L
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상세 설명
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-263-7
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제품 속성
유형
설명
제조사
Bruckewell
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
전력 소비 (최대)
188W (Tc)
인증
-
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
FET 유형
N-Channel
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds 온 (최대) @ Id, Vgs
90mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (최대) @ Id
4V @ 10mA
장착 유형
Through Hole
FET 특징
-
공급업체 디바이스 패키지
TO-263-7
패키지/케이스
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
등급
-
구동 전압 (최대 Rds 온, 최소 Rds 온)
20V
Vgs (최대)
+20V, -5V
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
문서 및 미디어
리소스 유형
링크
데이터시트
추가 리소스
속성
설명
부품 번호 별칭
CMS120N080B
26771948
4817-CMS120N080B-ND
재고 상태
재고 있음
업데이트
2026. 5. 16.
재고: 5
포장 수량 단가 합계
1 506.000 ₫ 506.000 ₫
506.000 ₫
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Bulk · Digikey
재고 수량 단가 합계
1
506.000 ₫
506.000 ₫
10
360.000 ₫
3.600.000 ₫
100
278.000 ₫
27.800.000 ₫
500
260.000 ₫
130.000.000 ₫
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