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GE Aerospace GE12050EEA3
제조사
제조사 제품 번호
GE12050EEA3
설명
MOSFET 6N-CH 1200V 475A MODULE
제조사 표준 리드 타임 10일
상세 설명
MOSFET 6N-CH 1200V 475A MODULE
데이터시트 데이터시트 보기
제품 속성
유형
설명
제조사
GE Aerospace
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
인증
AEC-Q101
기술
Silicon Carbide (SiC)
전력 - 최대
1250W
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200V (1.2kV)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
475A
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
29300pF @ 600V
Rds 온 (최대) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 475A, 20V
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
1248nC @ 18V
Vgs(th) (최대) @ Id
4.5V @ 160mA
장착 유형
Chassis Mount
FET 특징
-
공급업체 디바이스 패키지
Module
패키지/케이스
Module
구성
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
문서 및 미디어
리소스 유형
링크
데이터시트
추가 리소스
속성
설명
부품 번호 별칭
GE12050EEA3
16910639
4014-GE12050EEA3-ND
재고 상태
재고 있음
업데이트
2026. 5. 16.
재고: 5
포장 수량 단가 합계
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