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IceMOS Technology ICE20N60B
제조사 제품 번호
ICE20N60B
설명
Superjunction MOSFET
제조사 표준 리드 타임 7일
상세 설명
Superjunction MOSFET
데이터시트 데이터시트 보기
제품 속성
유형
설명
제조사
IceMOS Technology
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
59 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2064 pF @ 25 V
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
전력 소비 (최대)
236W (Tc)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
FET 유형
N-Channel
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds 온 (최대) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (최대) @ Id
3.9V @ 250µA
장착 유형
Surface Mount
FET 특징
-
공급업체 디바이스 패키지
TO-263
패키지/케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
구동 전압 (최대 Rds 온, 최소 Rds 온)
10V
Vgs (최대)
±20V
드레인-소스 전압 (Vdss)
600 V
문서 및 미디어
리소스 유형
링크
데이터시트
추가 리소스
속성
설명
부품 번호 별칭
ICE20N60B
20412649
5133-ICE20N60BTR-ND
재고 상태
재고 있음
업데이트
2026. 5. 16.
재고: 5,600
포장 수량 단가 합계
1 64.000 ₫ 64.000 ₫
64.000 ₫
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Tape & Reel (TR) · Digikey
재고 수량 단가 합계
800
64.000 ₫
51.200.000 ₫
1,600
60.000 ₫
96.000.000 ₫
2,400
55.000 ₫
132.000.000 ₫
3,200
51.000 ₫
163.200.000 ₫
최소 주문 수량 800 · 주문 배수 800
대체 제품

ICE20N170B
Superjunction MOSFET
64.000 ₫ IceMOS Technology