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Infineon Technologies IPB65R660CFDAATMA1
제조사 제품 번호
IPB65R660CFDAATMA1
설명
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
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상세 설명
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
데이터시트 데이터시트 보기
제품 속성
유형
설명
제조사
Infineon Technologies
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
20 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
543 pF @ 100 V
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
전력 소비 (최대)
62.5W (Tc)
인증
AEC-Q101
기술
MOSFET (Metal Oxide)
FET 유형
N-Channel
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds 온 (최대) @ Id, Vgs
660mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (최대) @ Id
4.5V @ 200µA
장착 유형
Surface Mount
FET 특징
-
공급업체 디바이스 패키지
PG-TO263-3
패키지/케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
등급
Automotive
구동 전압 (최대 Rds 온, 최소 Rds 온)
10V
Vgs (최대)
±20V
드레인-소스 전압 (Vdss)
650 V
문서 및 미디어
리소스 유형
링크
데이터시트
환경 정보
추천 제품
추가 리소스
속성
설명
부품 번호 별칭
IPB65R660CFDAATMA1
12718429
448-IPB65R660CFDAATMA1CT-ND
재고 상태
재고 있음
업데이트
2026. 5. 16.
재고: 970
포장 수량 단가 합계
1 69.000 ₫ 69.000 ₫
69.000 ₫
모든 가격은 선택한 통화로 표시됩니다
Cut Tape (CT) · Digikey
재고 수량 단가 합계
1
69.000 ₫
69.000 ₫
10
45.000 ₫
450.000 ₫
100
31.000 ₫
3.100.000 ₫
500
25.000 ₫
12.500.000 ₫
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