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Infineon Technologies IPD65R660CFDAATMA1
제조사 제품 번호
IPD65R660CFDAATMA1
설명
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
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상세 설명
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
데이터시트 데이터시트 보기
제품 속성
유형
설명
제조사
Infineon Technologies
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
20 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
543 pF @ 100 V
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
전력 소비 (최대)
62.5W (Tc)
인증
AEC-Q101
기술
MOSFET (Metal Oxide)
FET 유형
N-Channel
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds 온 (최대) @ Id, Vgs
660mOhm @ 3.22A, 10V
Vgs(th) (최대) @ Id
4.5V @ 214.55µA
장착 유형
Surface Mount
FET 특징
-
공급업체 디바이스 패키지
PG-TO252-3
패키지/케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
등급
Automotive
구동 전압 (최대 Rds 온, 최소 Rds 온)
10V
Vgs (최대)
±20V
드레인-소스 전압 (Vdss)
650 V
문서 및 미디어
리소스 유형
링크
데이터시트
환경 정보
추천 제품
추가 리소스
속성
설명
부품 번호 별칭
IPD65R660CFDAATMA1
12718456
448-IPD65R660CFDAATMA1DKR-ND
재고 상태
품절
업데이트
2026. 5. 16.
재고: 0
포장 수량 단가 합계
1 63.000 ₫ 63.000 ₫
63.000 ₫
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재고 수량 단가 합계
1
63.000 ₫
63.000 ₫
10
41.000 ₫
410.000 ₫
100
28.000 ₫
2.800.000 ₫
500
22.000 ₫
11.000.000 ₫
1,000
21.000 ₫
21.000.000 ₫
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