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NoMIS Power N3PT028MP120K
Manufacturer
Manufacturer Product Number
N3PT028MP120K
Description
1200 V 28 mOhm SiC MOSFET TO-247
Manufacturer Standard Lead Time 5일
Detailed Description
N-Channel 1200 V 72A 268W (Tc) Through Hole TO-247-4
Datasheet View datasheet
Product Attributes
Type
Description
제조사
NoMIS Power
작동 온도
-55°C ~ 175°C
전력 소비 (최대)
268W (Tc)
인증
-
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
FET 유형
N-Channel
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
72A
Rds 온 (최대) @ Id, Vgs
35mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (최대) @ Id
3V @ 25mA
장착 유형
Through Hole
FET 특징
-
공급업체 디바이스 패키지
TO-247-4
패키지/케이스
TO-247-4
등급
-
구동 전압 (최대 Rds 온, 최소 Rds 온)
20V
Vgs (최대)
+25V, -5V
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
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Resource Type
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데이터시트
Additional Resources
Attribute
Description
부품 번호 별칭
N3PT028MP120K
27519022
5140-N3PT028MP120K-ND
재고 상태
재고 있음
업데이트
2026. 5. 16.
In-Stock: 137
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