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NoMIS Power N3T080MP330
제조사
제조사 제품 번호
N3T080MP330
설명
3300 V 80 mOhm SiC MOSFET Bare D
제조사 표준 리드 타임 15일
상세 설명
3300 V 80 mOhm SiC MOSFET Bare D
데이터시트 데이터시트 보기
제품 속성
유형
설명
제조사
NoMIS Power
작동 온도
-55°C ~ 175°C
전력 소비 (최대)
288W (Tc)
인증
-
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
FET 유형
N-Channel
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
34A
Rds 온 (최대) @ Id, Vgs
90mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (최대) @ Id
3V @ 10mA
장착 유형
Through Hole
FET 특징
-
공급업체 디바이스 패키지
TO-247-4
패키지/케이스
TO-247-4
등급
-
구동 전압 (최대 Rds 온, 최소 Rds 온)
20V
Vgs (최대)
+25V, -5V
드레인-소스 전압 (Vdss)
3300 V
문서 및 미디어
리소스 유형
링크
데이터시트
추가 리소스
속성
설명
부품 번호 별칭
N3T080MP330
27524843
5140-N3T080MP330-ND
재고 상태
재고 있음
업데이트
2026. 5. 16.
재고: 1,000
포장 수량 단가 합계
1 2.597.000 ₫ 2.597.000 ₫
2.597.000 ₫
모든 가격은 선택한 통화로 표시됩니다
Tray · Digikey
재고 수량 단가 합계
10
2.597.000 ₫
25.970.000 ₫
20
2.467.000 ₫
49.340.000 ₫
50
2.338.000 ₫
116.900.000 ₫
최소 주문 수량 10 · 주문 배수 10
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