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NovuSem NC1M120C12WDCU

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NovuSem NC1M120C12WDCU

제조사
제조사 제품 번호
NC1M120C12WDCU
설명

SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA

제조사 표준 리드 타임 45일
상세 설명

SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA

제품 속성

유형
설명
제조사
NovuSem
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
8330 pF @ 1000 V
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
214A (Tc)
Rds 온 (최대) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (최대) @ Id
3.5V @ 40mA
장착 유형
Surface Mount
공급업체 디바이스 패키지
Wafer
패키지/케이스
Die
구동 전압 (최대 Rds 온, 최소 Rds 온)
20V
Vgs (최대)
+22V, -8V
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V

문서 및 미디어

리소스 유형
링크

추가 리소스

속성
설명
부품 번호 별칭
NC1M120C12WDCU 25935816 3372-NC1M120C12WDCU-ND
재고 상태
재고 있음
업데이트
2026. 5. 16.

재고: 218

포장 수량 단가 합계
1 1.737.000 ₫ 1.737.000 ₫

1.737.000 ₫

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Tray · Digikey

재고 수량 단가 합계
218
1.737.000 ₫
378.666.000 ₫

최소 주문 수량 218 · 주문 배수 218

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