제품 속성
유형
설명
제조사
NovuSem
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1450 pF @ 1000 V
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
전력 소비 (최대)
288W (Ta)
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
FET 유형
N-Channel
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Rds 온 (최대) @ Id, Vgs
75mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (최대) @ Id
2.8V @ 5mA
장착 유형
Through Hole
공급업체 디바이스 패키지
TO-247-4L
패키지/케이스
TO-247-4
구동 전압 (최대 Rds 온, 최소 Rds 온)
20V
Vgs (최대)
+20V, -5V
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
문서 및 미디어
리소스 유형
링크
데이터시트
추가 리소스
속성
설명
부품 번호 별칭
NC1M120C75HTNG
21723614
재고 상태
품절
업데이트
2026. 5. 16.
재고: 0
포장 수량 단가 합계
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