제품 속성
유형
설명
제조사
onsemi
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
1.3 nC @ 5 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
73 pF @ 25 V
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
전력 소비 (최대)
225mW (Ta)
인증
-
기술
MOSFET (Metal Oxide)
FET 유형
P-Channel
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
130mA (Ta)
Rds 온 (최대) @ Id, Vgs
8Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th) (최대) @ Id
2V @ 250µA
장착 유형
Surface Mount
FET 특징
-
공급업체 디바이스 패키지
SOT-23-3 (TO-236)
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
등급
-
구동 전압 (최대 Rds 온, 최소 Rds 온)
4.5V, 10V
Vgs (최대)
±20V
드레인-소스 전압 (Vdss)
50 V
문서 및 미디어
추가 리소스
속성
설명
부품 번호 별칭
BSS84
244297
BSS84CT-ND
BSS84DKR-ND
재고 상태
재고 있음
업데이트
2026. 5. 16.
재고: 1,782
포장 수량 단가 합계
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10.000 ₫
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10.000 ₫
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