제품 속성
유형
설명
제조사
onsemi
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
62 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2470 pF @ 15 V
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
전력 소비 (최대)
2.5W (Ta)
인증
-
기술
MOSFET (Metal Oxide)
FET 유형
P-Channel
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Rds 온 (최대) @ Id, Vgs
13mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (최대) @ Id
3V @ 250µA
장착 유형
Surface Mount
FET 특징
-
공급업체 디바이스 패키지
8-SOIC
패키지/케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
등급
-
구동 전압 (최대 Rds 온, 최소 Rds 온)
4.5V, 10V
Vgs (최대)
±25V
드레인-소스 전압 (Vdss)
30 V
문서 및 미디어
리소스 유형
링크
데이터시트
EDA 모델
제품 변경 공지
추가 리소스
속성
설명
부품 번호 별칭
FDS6675BZ
1923003
FDS6675BZTR-ND
재고 상태
재고 있음
업데이트
2026. 5. 16.
재고: 7,500
포장 수량 단가 합계
1 10.000 ₫ 10.000 ₫
10.000 ₫
모든 가격은 선택한 통화로 표시됩니다
Tape & Reel (TR) · Digikey
재고 수량 단가 합계
2,500
10.000 ₫
25.000.000 ₫
5,000
9.000 ₫
45.000.000 ₫
최소 주문 수량 2,500 · 주문 배수 2,500
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