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PN Junction Semiconductor P3M12025K4
제조사 제품 번호
P3M12025K4
설명
SICFET N-CH 1200V 112A TO-247-4
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상세 설명
N-Channel 1200 V 112A 577W Through Hole TO-247-4L
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제품 속성
유형
설명
제조사
PN Junction Semiconductor
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
전력 소비 (최대)
577W
인증
AEC-Q101
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
FET 유형
N-Channel
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
112A
Rds 온 (최대) @ Id, Vgs
35mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (최대) @ Id
2.2V @ 50mA (Typ)
장착 유형
Through Hole
FET 특징
-
공급업체 디바이스 패키지
TO-247-4L
패키지/케이스
TO-247-4
등급
Automotive
구동 전압 (최대 Rds 온, 최소 Rds 온)
15V
Vgs (최대)
+19V, -8V
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
문서 및 미디어
리소스 유형
링크
데이터시트
추가 리소스
속성
설명
부품 번호 별칭
P3M12025K4
16351538
재고 상태
품절
업데이트
2026. 5. 16.
재고: 0
포장 수량 단가 합계
1 0 ₫ 0 ₫
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