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ROHM Semiconductor R6007JNJGTL
제조사 제품 번호
R6007JNJGTL
설명
MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
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상세 설명
N-Channel 600 V 7A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount LPTS
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제품 속성
유형
설명
제조사
ROHM Semiconductor
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
17.5 nC @ 15 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
475 pF @ 100 V
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
전력 소비 (최대)
96W (Tc)
인증
-
기술
MOSFET (Metal Oxide)
FET 유형
N-Channel
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds 온 (최대) @ Id, Vgs
780mOhm @ 3.5A, 15V
Vgs(th) (최대) @ Id
7V @ 1mA
장착 유형
Surface Mount
FET 특징
-
공급업체 디바이스 패키지
LPTS
패키지/케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
등급
-
구동 전압 (최대 Rds 온, 최소 Rds 온)
15V
Vgs (최대)
±30V
드레인-소스 전압 (Vdss)
600 V
문서 및 미디어
추가 리소스
속성
설명
부품 번호 별칭
R6007JNJGTL
9998431
R6007JNJGTLTR-ND
재고 상태
재고 있음
업데이트
2026. 5. 16.
재고: 1,000
포장 수량 단가 합계
1 34.000 ₫ 34.000 ₫
34.000 ₫
모든 가격은 선택한 통화로 표시됩니다
Tape & Reel (TR) · Digikey
재고 수량 단가 합계
1,000
34.000 ₫
34.000.000 ₫
2,000
32.000 ₫
64.000.000 ₫
3,000
31.000 ₫
93.000.000 ₫
5,000
30.000 ₫
150.000.000 ₫
최소 주문 수량 1,000 · 주문 배수 1,000
대체 제품
IPB65R660CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
23.000 ₫ Infineon Technologies
IRFS9N60APBF
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
127.000 ₫ Vishay Siliconix