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STMicroelectronics SCTWA50N120
제조사 제품 번호
SCTWA50N120
설명
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
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상세 설명
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
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제품 속성
유형
설명
제조사
STMicroelectronics
제품 상태
Obsolete
게이트 전하 (Qg) (최대) @ Vgs
122 nC @ 20 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1900 pF @ 400 V
작동 온도
-55°C ~ 200°C (TJ)
전력 소비 (최대)
318W (Tc)
인증
-
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
FET 유형
N-Channel
전류 - 연속 드레인 (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Rds 온 (최대) @ Id, Vgs
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (최대) @ Id
3V @ 1mA
장착 유형
Through Hole
FET 특징
-
공급업체 디바이스 패키지
HiP247™
패키지/케이스
TO-247-3
등급
-
구동 전압 (최대 Rds 온, 최소 Rds 온)
20V
Vgs (최대)
+25V, -10V
드레인-소스 전압 (Vdss)
1200 V
문서 및 미디어
환경 및 수출 분류
속성
설명
제품 상태
Obsolete
추가 리소스
속성
설명
부품 번호 별칭
SCTWA50N120
7313412
497-SCTWA50N120-ND
재고 상태
재고 있음
업데이트
2026. 5. 16.
재고: 308
포장 수량 단가 합계
1 735.000 ₫ 735.000 ₫
735.000 ₫
모든 가격은 선택한 통화로 표시됩니다
Tube · Digikey
재고 수량 단가 합계
1
735.000 ₫
735.000 ₫
10
593.000 ₫
5.930.000 ₫
25
557.000 ₫
13.925.000 ₫
100
518.000 ₫
51.800.000 ₫
250
500.000 ₫
125.000.000 ₫
최소 주문 수량 1 · 주문 배수 1
대체 제품
C3M0065090D
SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
554.000 ₫ Wolfspeed, Inc.