Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Thông số kỹ thuật chính xác nên được lấy từ bảng dữ liệu sản phẩm.
Bruckewell CMS120N080B
Nhà sản xuất
Mã sản phẩm nhà sản xuất
CMS120N080B
Mô tả
SIC N-MOSFET,1200V,35A,TO-263-7L
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn Liên hệ
Mô tả chi tiết
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-263-7
Bảng dữ liệu Xem bảng dữ liệu
Thuộc tính sản phẩm
Loại
Mô tả
Nhà sản xuất
Bruckewell
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tiêu tán công suất (Tối đa)
188W (Tc)
Chứng nhận
-
Công nghệ
SiCFET (Silicon Carbide)
Loại FET
N-Channel
Dòng điện - Dòng liên tục (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vgs
90mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 10mA
Kiểu lắp đặt
Through Hole
Tính năng FET
-
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-263-7
Gói / Vỏ
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Cấp độ
-
Điện áp điều khiển (Rds Bật Tối đa, Rds Tắt Tối thiểu)
20V
Vgs (Tối đa)
+20V, -5V
Điện áp Drain đến Source (Vdss)
1200 V
Tài liệu & Phương tiện
Loại tài nguyên
Liên kết
Bảng dữ liệu
Tài nguyên bổ sung
Thuộc tính
Mô tả
Bí danh mã linh kiện
CMS120N080B
26771948
4817-CMS120N080B-ND
Tình trạng
Còn hàng
Cập nhật
16/5/2026
Còn hàng: 5
Đóng gói Số lượng Đơn giá Thành tiền
1 506.000 ₫ 506.000 ₫
506.000 ₫
Tất cả giá được hiển thị theo đơn vị tiền tệ đã chọn
Bulk · Digikey
Số lượng Đơn giá Thành tiền
1
506.000 ₫
506.000 ₫
10
360.000 ₫
3.600.000 ₫
100
278.000 ₫
27.800.000 ₫
500
260.000 ₫
130.000.000 ₫
MOQ 1 · Bội số đặt hàng 1