XPart
BYTe Semiconductor BY25D40ESTIG(R)

Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Thông số kỹ thuật chính xác nên được lấy từ bảng dữ liệu sản phẩm.

BYTe Semiconductor BY25D40ESTIG(R)

Nhà sản xuất
Mã sản phẩm nhà sản xuất
BY25D40ESTIG(R)
Mô tả

4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40

Thời gian giao hàng tiêu chuẩn Liên hệ
Mô tả chi tiết

4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40

Bảng dữ liệu Xem bảng dữ liệu

Thuộc tính sản phẩm

Loại
Mô tả
Nhà sản xuất
BYTe Semiconductor
Trạng thái sản phẩm
New
Thời gian truy cập
7 ns
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 85°C (TA)
Tổ chức bộ nhớ
512K x 8
Chứng nhận
-
Điện áp - Nguồn cấp
2.7V ~ 3.6V
Công nghệ
FLASH - NOR
Kiểu lắp đặt
Surface Mount
Tần số xung nhịp
120 MHz
Định dạng bộ nhớ
FLASH
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-SOP
Kích thước bộ nhớ
4Mbit
Loại bộ nhớ
Non-Volatile
Gói / Vỏ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Cấp độ
-
Thời gian chu kỳ ghi - Word, Page
3.6ms
Giao diện bộ nhớ
SPI - Dual I/O

Tài liệu & Phương tiện

Loại tài nguyên
Liên kết
Bảng dữ liệu

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Thuộc tính
Mô tả
Trạng thái sản phẩm
New

Tài nguyên bổ sung

Thuộc tính
Mô tả
Bí danh mã linh kiện
BY25D40ESTIG(R) 26717320 5369-BY25D40ESTIG(R)TR-ND
Tình trạng
Hết hàng
Cập nhật
16/5/2026

Còn hàng: 0

Đóng gói Số lượng Đơn giá Thành tiền
1 3.000 ₫ 3.000 ₫

3.000 ₫

Tất cả giá được hiển thị theo đơn vị tiền tệ đã chọn

Tape & Reel (TR) · Digikey

Số lượng Đơn giá Thành tiền
4,000
3.000 ₫
12.000.000 ₫

MOQ 4,000 · Bội số đặt hàng 4,000

Quy cách đóng gói khác

BYTe Semiconductor BY25D40ESTIG(T)

BY25D40ESTIG(T)

4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40

Xem chi tiết

Sản phẩm thay thế

BYTe Semiconductor BY25D40ESTIG(T)

BY25D40ESTIG(T)

4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40

Xem chi tiết

Cập nhật thông tin

Đăng ký nhận bản tin của chúng tôi để biết các sản phẩm và giao dịch mới nhất