Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Thông số kỹ thuật chính xác nên được lấy từ bảng dữ liệu sản phẩm.
Infineon Technologies IPB65R660CFDAATMA1
Nhà sản xuất
Mã sản phẩm nhà sản xuất
IPB65R660CFDAATMA1
Mô tả
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn Liên hệ
Mô tả chi tiết
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Bảng dữ liệu Xem bảng dữ liệu
Mô hình EDA/CAD
Thuộc tính sản phẩm
Loại
Mô tả
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Điện tích cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
543 pF @ 100 V
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tiêu tán công suất (Tối đa)
62.5W (Tc)
Chứng nhận
AEC-Q101
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Loại FET
N-Channel
Dòng điện - Dòng liên tục (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vgs
660mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 200µA
Kiểu lắp đặt
Surface Mount
Tính năng FET
-
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-TO263-3
Gói / Vỏ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Cấp độ
Automotive
Điện áp điều khiển (Rds Bật Tối đa, Rds Tắt Tối thiểu)
10V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện áp Drain đến Source (Vdss)
650 V
Tài liệu & Phương tiện
Loại tài nguyên
Liên kết
Bảng dữ liệu
Mô hình EDA
Mô hình mô phỏng
Tài liệu liên quan
Thông tin môi trường
Sản phẩm nổi bật
Tài nguyên bổ sung
Thuộc tính
Mô tả
Bí danh mã linh kiện
IPB65R660CFDAATMA1
12718429
448-IPB65R660CFDAATMA1CT-ND
Tình trạng
Còn hàng
Cập nhật
16/5/2026
Còn hàng: 970
Đóng gói Số lượng Đơn giá Thành tiền
1 69.000 ₫ 69.000 ₫
69.000 ₫
Tất cả giá được hiển thị theo đơn vị tiền tệ đã chọn
Cut Tape (CT) · Digikey
Số lượng Đơn giá Thành tiền
1
69.000 ₫
69.000 ₫
10
45.000 ₫
450.000 ₫
100
31.000 ₫
3.100.000 ₫
500
25.000 ₫
12.500.000 ₫
MOQ 1 · Bội số đặt hàng 1
Sản phẩm dùng kèm
AUIRS2181STR
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
55.000 ₫ Infineon Technologies
AUIRS2181STR
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
55.000 ₫ Infineon Technologies
AUIRS2181STR
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
55.000 ₫ Infineon Technologies
Sản phẩm thay thế
IXTA10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO263
63.000 ₫ IXYS