Image shown is representative only. Exact specifications should be obtained from the product datasheet.
Infineon Technologies IPB65R660CFDAATMA1
Manufacturer
Manufacturer Product Number
IPB65R660CFDAATMA1
Description
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Manufacturer Standard Lead Time Contact us
Detailed Description
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Datasheet View datasheet
EDA/CAD Models
Product Attributes
Type
Description
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Điện tích cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
543 pF @ 100 V
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tiêu tán công suất (Tối đa)
62.5W (Tc)
Chứng nhận
AEC-Q101
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Loại FET
N-Channel
Dòng điện - Dòng liên tục (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vgs
660mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 200µA
Kiểu lắp đặt
Surface Mount
Tính năng FET
-
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-TO263-3
Gói / Vỏ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Cấp độ
Automotive
Điện áp điều khiển (Rds Bật Tối đa, Rds Tắt Tối thiểu)
10V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện áp Drain đến Source (Vdss)
650 V
Documents & Media
Resource Type
Link
Bảng dữ liệu
Mô hình EDA
Mô hình mô phỏng
Tài liệu liên quan
Thông tin môi trường
Sản phẩm nổi bật
Additional Resources
Attribute
Description
Bí danh mã linh kiện
IPB65R660CFDAATMA1
12718500
448-IPB65R660CFDAATMA1DKR-ND
Tình trạng
Hết hàng
Cập nhật
16/5/2026
In-Stock: 0
Packaging Quantity Unit Price Ext Price
1 69.000 ₫ 69.000 ₫
69.000 ₫
All prices are shown in the selected currency
Digi-Reel® · Digikey
Quantity Unit Price Ext Price
1
69.000 ₫
69.000 ₫
10
45.000 ₫
450.000 ₫
100
31.000 ₫
3.100.000 ₫
500
25.000 ₫
12.500.000 ₫
MOQ 1 · Bội số đặt hàng 1
Sản phẩm dùng kèm
AUIRS2181STR
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
55.000 ₫ Infineon Technologies
AUIRS2181STR
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
55.000 ₫ Infineon Technologies
AUIRS2181STR
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
55.000 ₫ Infineon Technologies
Sản phẩm thay thế
IXTA10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO263
63.000 ₫ IXYS