Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Thông số kỹ thuật chính xác nên được lấy từ bảng dữ liệu sản phẩm.
Inventchip IV1Q12080D7Z
Nhà sản xuất
Mã sản phẩm nhà sản xuất
IV1Q12080D7Z
Mô tả
SIC MOSFET, 1200V 80MOHM, TO263-
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn Liên hệ
Mô tả chi tiết
N-Channel 1200 V 42A (Tc) 185.4W (Tc) Through Hole TO-263-7
Thuộc tính sản phẩm
Loại
Mô tả
Nhà sản xuất
Inventchip
Điện tích cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
76 nC @ 20 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1680 pF @ 800 V
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tiêu tán công suất (Tối đa)
185.4W (Tc)
Công nghệ
SiCFET (Silicon Carbide)
Loại FET
N-Channel
Dòng điện - Dòng liên tục (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 3.11mA
Kiểu lắp đặt
Through Hole
Tính năng FET
-
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-263-7
Gói / Vỏ
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab)
Điện áp điều khiển (Rds Bật Tối đa, Rds Tắt Tối thiểu)
20V
Vgs (Tối đa)
+20V, -5V
Điện áp Drain đến Source (Vdss)
1200 V
Tài nguyên bổ sung
Thuộc tính
Mô tả
Bí danh mã linh kiện
IV1Q12080D7Z
26254972
4084-IV1Q12080D7Z-ND
Tình trạng
Hết hàng
Cập nhật
16/5/2026
Còn hàng: 0
Đóng gói Số lượng Đơn giá Thành tiền
1 100.000 ₫ 100.000 ₫
100.000 ₫
Tất cả giá được hiển thị theo đơn vị tiền tệ đã chọn
Tube · Digikey
Số lượng Đơn giá Thành tiền
800
100.000 ₫
80.000.000 ₫
MOQ 800 · Bội số đặt hàng 800