Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Thông số kỹ thuật chính xác nên được lấy từ bảng dữ liệu sản phẩm.
NoMIS Power N3T080MP330
Nhà sản xuất
Mã sản phẩm nhà sản xuất
N3T080MP330
Mô tả
3300 V 80 mOhm SiC MOSFET Bare D
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn 15 Ngày
Mô tả chi tiết
3300 V 80 mOhm SiC MOSFET Bare D
Bảng dữ liệu Xem bảng dữ liệu
Thuộc tính sản phẩm
Loại
Mô tả
Nhà sản xuất
NoMIS Power
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C
Tiêu tán công suất (Tối đa)
288W (Tc)
Chứng nhận
-
Công nghệ
SiCFET (Silicon Carbide)
Loại FET
N-Channel
Dòng điện - Dòng liên tục (Id) @ 25°C
34A
Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vgs
90mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 10mA
Kiểu lắp đặt
Through Hole
Tính năng FET
-
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-247-4
Gói / Vỏ
TO-247-4
Cấp độ
-
Điện áp điều khiển (Rds Bật Tối đa, Rds Tắt Tối thiểu)
20V
Vgs (Tối đa)
+25V, -5V
Điện áp Drain đến Source (Vdss)
3300 V
Tài liệu & Phương tiện
Loại tài nguyên
Liên kết
Bảng dữ liệu
Tài nguyên bổ sung
Thuộc tính
Mô tả
Bí danh mã linh kiện
N3T080MP330
27524843
5140-N3T080MP330-ND
Tình trạng
Còn hàng
Cập nhật
16/5/2026
Còn hàng: 1,000
Đóng gói Số lượng Đơn giá Thành tiền
1 2.597.000 ₫ 2.597.000 ₫
2.597.000 ₫
Tất cả giá được hiển thị theo đơn vị tiền tệ đã chọn
Tray · Digikey
Số lượng Đơn giá Thành tiền
10
2.597.000 ₫
25.970.000 ₫
20
2.467.000 ₫
49.340.000 ₫
50
2.338.000 ₫
116.900.000 ₫
MOQ 10 · Bội số đặt hàng 10
Có thể bạn cũng quan tâm
N3T080MP330K
3300 V 80 mOhm SiC MOSFET TO-247
1.558.000 ₫ NoMIS Power
G2R1000MT33J-TR
3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
366.000 ₫ Navitas Semiconductor, Inc.
MSC080SMA330B4N
MOSFET SIC 3300V 80 MOHM TO-247-
1.639.000 ₫ Microchip Technology
MSC400SMA330B4N
MOSFET SIC 3300V 400 MOHM TO-247
428.000 ₫ Microchip Technology
MSC025SMA330B4N
MOSFET SIC 3300V 25 MOHM TO-247-
5.084.000 ₫ Microchip Technology
N3T080MP120D
1200 V, 80 m SiC MOSFET, TO-247-
233.000 ₫ NoMIS Power