
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Thông số kỹ thuật chính xác nên được lấy từ bảng dữ liệu sản phẩm.
STMicroelectronics SCT20N120
Nhà sản xuất
Mã sản phẩm nhà sản xuất
SCT20N120
Mô tả
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn Liên hệ
Mô tả chi tiết
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Bảng dữ liệu Xem bảng dữ liệu
Mô hình EDA/CAD
Thuộc tính sản phẩm
Loại
Mô tả
Nhà sản xuất
STMicroelectronics
Trạng thái sản phẩm
Obsolete
Điện tích cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
45 nC @ 20 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
650 pF @ 400 V
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tiêu tán công suất (Tối đa)
175W (Tc)
Chứng nhận
-
Công nghệ
SiCFET (Silicon Carbide)
Loại FET
N-Channel
Dòng điện - Dòng liên tục (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vgs
290mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 1mA
Kiểu lắp đặt
Through Hole
Tính năng FET
-
Gói thiết bị nhà cung cấp
HiP247™
Gói / Vỏ
TO-247-3
Cấp độ
-
Điện áp điều khiển (Rds Bật Tối đa, Rds Tắt Tối thiểu)
20V
Vgs (Tối đa)
+25V, -10V
Điện áp Drain đến Source (Vdss)
1200 V
Tài liệu & Phương tiện
Loại tài nguyên
Liên kết
Bảng dữ liệu
Mô hình EDA
Tài liệu đào tạo
Thông báo thay đổi sản phẩm
Sản phẩm nổi bật
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Thuộc tính
Mô tả
Trạng thái sản phẩm
Obsolete
Tài nguyên bổ sung
Thuộc tính
Mô tả
Bí danh mã linh kiện
SCT20N120
5117323
Tình trạng
Hết hàng
Cập nhật
16/5/2026
Còn hàng: 0
Đóng gói Số lượng Đơn giá Thành tiền
1 0 ₫ 0 ₫
0 ₫
Tất cả giá được hiển thị theo đơn vị tiền tệ đã chọn
Sản phẩm thay thế

IXFX40N90P
MOSFET N-CH 900V 40A PLUS247-3
768.000 ₫ IXYS

IXFB40N110P
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
1.357.000 ₫ IXYS