XPart
STMicroelectronics SCT20N120

Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Thông số kỹ thuật chính xác nên được lấy từ bảng dữ liệu sản phẩm.

STMicroelectronics SCT20N120

Nhà sản xuất
Mã sản phẩm nhà sản xuất
SCT20N120
Mô tả

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

Thời gian giao hàng tiêu chuẩn Liên hệ
Mô tả chi tiết

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

Bảng dữ liệu Xem bảng dữ liệu
Mô hình EDA/CAD

Thuộc tính sản phẩm

Loại
Mô tả
Nhà sản xuất
STMicroelectronics
Trạng thái sản phẩm
Obsolete
Điện tích cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
45 nC @ 20 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
650 pF @ 400 V
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tiêu tán công suất (Tối đa)
175W (Tc)
Chứng nhận
-
Công nghệ
SiCFET (Silicon Carbide)
Loại FET
N-Channel
Dòng điện - Dòng liên tục (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vgs
290mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 1mA
Kiểu lắp đặt
Through Hole
Tính năng FET
-
Gói thiết bị nhà cung cấp
HiP247™
Gói / Vỏ
TO-247-3
Cấp độ
-
Điện áp điều khiển (Rds Bật Tối đa, Rds Tắt Tối thiểu)
20V
Vgs (Tối đa)
+25V, -10V
Điện áp Drain đến Source (Vdss)
1200 V

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Thuộc tính
Mô tả
Trạng thái sản phẩm
Obsolete

Tài nguyên bổ sung

Thuộc tính
Mô tả
Bí danh mã linh kiện
SCT20N120 5117323
Tình trạng
Hết hàng
Cập nhật
16/5/2026

Còn hàng: 0

Đóng gói Số lượng Đơn giá Thành tiền
1 0 ₫ 0 ₫

0 ₫

Tất cả giá được hiển thị theo đơn vị tiền tệ đã chọn

Sản phẩm thay thế

IXYS IXFX40N90P

IXFX40N90P

MOSFET N-CH 900V 40A PLUS247-3

768.000 ₫ IXYS
Xem chi tiết
IXYS IXFB40N110P

IXFB40N110P

MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264

1.357.000 ₫ IXYS
Xem chi tiết

Cập nhật thông tin

Đăng ký nhận bản tin của chúng tôi để biết các sản phẩm và giao dịch mới nhất