Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Thông số kỹ thuật chính xác nên được lấy từ bảng dữ liệu sản phẩm.
GE Aerospace GE12090CDA3
Nhà sản xuất
Mã sản phẩm nhà sản xuất
GE12090CDA3
Mô tả
MOSFET 2N-CH 1200V 875A MODULE
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn 10 Ngày
Mô tả chi tiết
MOSFET 2N-CH 1200V 875A MODULE
Bảng dữ liệu Xem bảng dữ liệu
Thuộc tính sản phẩm
Loại
Mô tả
Nhà sản xuất
GE Aerospace
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Chứng nhận
AEC-Q101
Công nghệ
Silicon Carbide (SiC)
Công suất - Tối đa
2350W
Điện áp Drain đến Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Dòng điện - Dòng liên tục (Id) @ 25°C
875A
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
58600pF @ 600V
Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vgs
2.19mOhm @ 950A, 20V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 320mA
Kiểu lắp đặt
Chassis Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
Module
Gói / Vỏ
Module
Cấu hình
2 N-Channel (Half Bridge)
Tài liệu & Phương tiện
Loại tài nguyên
Liên kết
Bảng dữ liệu
Tài nguyên bổ sung
Thuộc tính
Mô tả
Bí danh mã linh kiện
GE12090CDA3
23019626
4014-GE12090CDA3-ND
Tình trạng
Còn hàng
Cập nhật
16/5/2026
Còn hàng: 4
Đóng gói Số lượng Đơn giá Thành tiền
1 111.412.000 ₫ 111.412.000 ₫
111.412.000 ₫
Tất cả giá được hiển thị theo đơn vị tiền tệ đã chọn
Bulk · Digikey
Số lượng Đơn giá Thành tiền
1
111.412.000 ₫
111.412.000 ₫
MOQ 1 · Bội số đặt hàng 1